FET の勉強とか

electronics

いつもの本で、いつものべんきょ。

  • FET は BJT に比べて、製造によるバラツキが大きい。そのため（?）、V_GS - I_D の関係を見積もるのは難しい。IC 内部では様々な手法で素子間の特性のバラツキを抑える努力をしているが、それでも BJT の IC には敵わない。
  • FET は BJT に比べて transconductance が低いので、普通にソース接地増幅器とか作っても、BJT のエミッタ接地増幅回路に比べてのアドバンテージは、あまりない。ただし、入力インピーダンスの高いソースフォロアを構成するには有用だろう。
  • また、ディスクリートの FET は、BJT に比べて端子間の寄生容量が高めなのが欠点だが、ソースフォロアでは Miller 効果がないので、これまたソースフォロアには後押し。

結局、FET の得意分野は、

など。
なお、パワー MOSFET を除いて、ドレインとソースはほぼ対称だが、一般に GS 間の寄生容量よりも GD 間の寄生容量のほうが小さく作られている。
ということは、もしかしてソースフォロアを作る場合、ドレイン側から出力を取ったほうが良いんでしょうか?? （Miller 効果がないので、ほとんど変わらないのかな。）